纳米终结 半导体10年内进入埃米时代：靠ASML新EUV光刻机了

当前，量产的晶体管已经进入4nm尺度，3nm研发也已经冻结进入试产。

在11月于日本举办的线上ITF大会上，半导体行业大脑imec（比利时微电子研究中心）公布了未来十年的技术蓝图。

据悉，2025年后，晶体管微缩化进入埃米尺度（Å，angstrom，1埃 = 0.1) @ ` i D 9 ` $纳米），时间节点的规划是，2025年A14（14N ( V 4Å=1.4纳米）、2027年为A10（10Å=1nm）、2029年为A7（7Å＝0.7纳米）。

微观? E 1晶体管结构层面，imeU P b Dc试图在14Å节点使用Forksheet结构（p型和n型纳米片晶体管成对排列，类似于用餐的叉子），10Å节点试图采用CEFT结构，1纳米（10Å）以下计划采用原子形状的沟道，依赖x 1 #Mo（钼）、W（钨）、X为硫、Se硒、Te（碲）等2D材料和High NA（高数值孔径）EUV光刻机来实现。

说到High NA EUV光刻机（0.55NA），一号原型机（EXE:5000）将\ L w _ . y ~ Y在a 8 Z r z _2o U E m U023年由ASML提供给imec的联合实} 1 S ` O & p : @验室，2026年量产，从而服务10 ` w 5nm及更先进的节点。